ElFys 提供一系列高性能黑硅光電二極管。該光電探測器是通過采用表面納米結(jié)構(gòu)技術(shù)與原子層沉積涂層相結(jié)合,大大提高了光收集效率。
在 200 nm 至 950 nm 范圍內(nèi)具有光響應(yīng),外量子效率≥ 96%(通過德國國家計量研究院PTB 認(rèn)證)。
此光電探測器在紫外波段也同樣具有*的量子效率,比普通的硅光電二極管高出兩倍以上。
黑硅表面與定制的原子層沉積涂層相結(jié)合,極大地提高了感應(yīng)角度范圍內(nèi)的表面吸收率,具有*吸光度的超寬感應(yīng)角度(> 95% @ 60°)
ElFys 提供SM和PD兩大系列的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,也可以針對不同應(yīng)用需求進行定制??梢造`活地提供光電二極管芯片和*封裝的光電探測器解決方案。
SM系列黑硅光電探測器主要特點:
· 在多波長下具有出色的光敏性:綠色、紅色和 NIR
· 低暗電流
· 緊湊型 SMD 封裝
典型應(yīng)用:
· 健康監(jiān)測
· 可穿戴電子產(chǎn)品
PD系列黑硅光電探測器主要特點:
· 增強的廣譜光敏性:UV、Vis 和 NIR
· 優(yōu)化的電氣特性
· TO-can 封裝*大程度保護環(huán)境
典型應(yīng)用:
· 高精度測光
· 分析儀器
· X射線成像
產(chǎn)品系列 | 型號 | *大偏置電壓 | 感光面積 | *大暗電流@ -10 mV | 節(jié)電容@0V,100kHz | 響應(yīng)率@λp | 默認(rèn)封裝 * |
|
| [V] | [mm2] | [pA] | [pF] | [A/W] | λp (nm) |
SM | SM322 | 6 | 3.22 | 40 | 60 | 0.71 | 970 | SMD |
SM446 | 6 | 4.46 | 50 | 80 | 0.71 | 970 | SMD |
PD | PD1sM | 10 | 1 | 12 | 20 | 0.80 | 1010 | TO-46 |
PD1sH | 1 | 255 | 11 | 0.81 | 1040 | TO-46 |
PD4sM | 20 | 4 | 15 | 65 | 0.80 | 1010 | TO-46 |
PD25sM | 25 | 30 | 370 | 0.80 | 1010 | TO-8 |
PD25sH | 25 | 700 | 110 | 0.81 | 1040 | TO-8 |
PD100sM | 100 | 60 | 1200 | 0.80 | 1010 | PCB |
PD100sH | 100 | 1500 | 340 | 0.81 | 1040 | PCB |
PD5sMG | 100 | 5 | 15 | 105 | 0.80 | 1010 | PCB |
PD5sHG | 5 | 400 | 30 | 0.81 | 1040 | PCB |
PD25sMG | 25 | 30 | 370 | 0.80 | 1010 | PCB |
PD25sHG | 25 | 700 | 110 | 0.81 | 1040 | PCB |
PD100sMG | 100 | 60 | 1200 | 0.80 | 1010 | PCB |
PD100sHG | 100 | 1500 | 340 | 0.81 | 1040 | PCB |
* 可根據(jù)客戶要求為所有產(chǎn)品提供定制封裝。
ElFys, Inc. 成立于 2017 年秋季,旨在將一組大學(xué)研究人員開創(chuàng)的光電探測器技術(shù)創(chuàng)新商業(yè)化。公司利用了芬蘭埃斯波Micronova 納米制造中心先進的加工設(shè)施。該設(shè)施包含了2600 平方米 的兼容CMOS技術(shù)的設(shè)施,適用于研發(fā)和半批量生產(chǎn)。
EIFys Inc. 由阿爾托大學(xué)的一個研究團隊組成,是早期把太陽能電池新的研究結(jié)結(jié)合到光探測技術(shù)的公司,由此成功的把黑硅技術(shù)應(yīng)用到光感應(yīng)技術(shù)中。該技術(shù)使得光學(xué)探測器的性能大幅提升,可以捕到獲每一束光。
公司的合作伙伴在硅光伏和相關(guān)研究方面也擁有豐富的專業(yè)知識。太陽能電池和光電二極管的結(jié)構(gòu)和工作原理非常相似,因此太陽能電池的創(chuàng)新通??梢詰?yīng)用于光電二極管,反之亦然。表面鈍化和缺陷工程等主題是制造過程的組成部分,正是這些制造過程,幫助我們實現(xiàn)了光電二極管的響應(yīng)。